The Thunderous Silicon Carbide

Undanfarin tvö ár hefur þriðju kynslóðar hálfleiðaraefnið kísilkarbíð (SiC) blásið mjög hátt, eins og þruma. Á síðasta ári verða sumir fjölmiðlar 2021 sem „kísilkarbíðsprengingarár“. Á þessu ári, það er fólk verður 2022 sem "kísilkarbíð kraftflís umsóknir á nýju ári", ég veit ekki hvort næsta ár mun vera fær um að koma upp með ný slagorð (hér vísa til "21. öldin er öldin af líffræði"). Fjármagnsmarkaðurinn er líka vindurinn og kísilkarbíð sem nuddar smá brún efnisins er að skjótast upp.

SiC er hentugasta efnið fyrir rafmagnstæki.

Hálfleiðara efni úr sílikoni hafa breytt lífi okkar, ég trúi því að í framtíðinni í langan tíma muni kísill hálfleiðari enn vera almennt. Við þróun kísilefna í áratugi hafa nokkur vandamál komið upp og margir hafa reynt að skipta því út fyrir mismunandi efni. Hálfleiðaraefni hafa einnig þróast þrjár kynslóðir. Kísilkarbíð er þriðja kynslóð hálfleiðaraefna. Þar sem SiC hefur breitt bönnuð bandbreidd, sem leiðir til efniseiginleika eins og mikillar niðurbrotsstyrks rafsviðs. Með því að njóta góðs af efniseiginleikum SiC hafa SiC raforkutæki kosti eins og háspennuþol, lítil stærð, lítil orkunotkun og háhitaþol.

Þessi kostur endurspeglast aðallega í rafmagnstækjunum. Byggt á áðurnefndum eiginleikum, sömu forskriftir SiC-MOSFET samanborið við Si-MOSFET, viðnám er minnkað í 1/200, stærðin er minnkað í 1/10; sömu forskriftir um notkun SiC-MOSFET inverter og notkun Si-IGBT samanborið við heildarorkutapið er minna en 1/4.

Rafmagnstæki eru einn af mikilvægum grunnþáttum rafeindatækniiðnaðarins, mikið notaður í raforkubúnaði, aflbreytingum og hringrásarstýringu og öðrum sviðum, er ómissandi kjarna hálfleiðaravara í iðnaðarkerfinu. Hraður vöxtur nýrra orkutækja fyrir rafmagnstæki hefur fært mikið svigrúm til þróunar. Kísilkarbíð MOSFET til að koma í stað sílikon-undirstaða IGBT er þróunin.

SiC-MOSFET hefur lágt á-viðnám og lítið rofatap, sem hentar betur til notkunar í hátíðnirásum. Í nýju vélknúnum ökutækisstýringunni, aflgjafi ökutækja, sólarorkubreytir, hleðsluhaugur, UPS og önnur svið hafa mikið úrval af forritum.
Um kísilkarbíð eigum við enn eftir að hafa nokkra punkta á hreinu.

Í fyrsta lagi er SiC ekki fullkomin staðgengill fyrir sílikon. Kostir kísilkarbíðs eru háþrýstingsþol, háhitaþol, lítið orkutap, en þessir kostir endurspeglast ekki í rafeindavörum fyrir neytendur. Þvert á móti er erfitt að undirbúa SiC diska, kostnaðurinn er of hár og æting er erfitt, svo það getur ekki komið í stað kísilefnisins að fullu.

Í öðru lagi hefur frammistaða kísilkarbíðs og gallíumnítríðs eigin áherslur, mismunandi notkunarsvið. SiC leggur áherslu á háspennu, GaN einbeitir sér að hátíðni, efnin tvö hafa ekki mikla samkeppniseiginleika og notkunarsviðsmyndir eru ekki þær sömu.

Að auki, jafnvel hagstæðar sviði SiC - máttur tæki, SiC er ekki ríkjandi, sílikon-undirstaða IGBT er ekki ómögulegt að nota.

Shengyang New Materials Co., Ltd. hefur skuldbundið sig til að framleiða kísilkarbíð og kísilkarbíð vinnsluvörur og getur sérsniðið ýmsa kísilkarbíðhluta í samræmi við þarfir viðskiptavina. Ef nauðsyn krefur, vinsamlegast hafðu samband við okkur.
Sími:+8618560961205
Email sales@zbsyxc.com
WhatsApp:+86139694302243